產品特色
容量 : 250GB / 500GB / 1,000GB / 2,000GB
(1GB=1 Billion byte by IDEMA) * 一部分容量用於系統文件和維護用途,實際容量可能與產品標示不同。
類型 : M.2 (2280)
介面 : PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3c
實體規格 ( 寬 X 長 X 高 ) : 80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)
重量 : 約 9.0 g
Storage Memory : Samsung V-NAND 3-bit MLC
控制晶片 : Samsung Elpis Controller
快取記憶體 : Samsung 512MB (250GB,500GB) ; 1GB (1TB) ; 2GB (2TB) Low Power DDR4 SDRAM
獨特功能
TRIM Support : 支援
S.M.A.R.T Support : 支援
垃圾回收 : 垃圾自動回收演算法
資料加密 : AES 256位元加密 (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (加密驅動器)
全球通用名稱 (World Wide Name) : 不支援
效能
250 GB :
連續讀取速度 : 最高 6,400 MB/s
連續寫入速度 : 最高 2,700 MB/s
隨機讀取速度 (4KB, QD32) : 最高 500,000 IOPS
隨機寫入速度 (4KB, QD32) : 最高 600,000 IOPS
* 效能可能因系統硬體配置而異
500 GB :
連續讀取速度 : 最高 6,900 MB/s
連續寫入速度 : 最高 5,000 MB/s
隨機讀取速度 (4KB, QD32) : 最高 800,000 IOPS
隨機寫入速度 (4KB, QD32) : 最高 1,000,000 IOPS
* 效能可能因系統硬體配置而異
1 TB :
連續讀取速度 : 最高 7,000 MB/s
連續寫入速度 : 最高 5,000 MB/s
隨機讀取速度 (4KB, QD32) : 最高 1,000,000 IOPS
隨機寫入速度 (4KB, QD32) : 最高 1,000,000 IOPS
* 效能可能因系統硬體配置而異
2 TB :
連續讀取速度 : 最高 7,000 MB/s
連續寫入速度 : 最高 5,100 MB/s
隨機讀取速度 (4KB, QD32) : 最高 1,000,000 IOPS
隨機寫入速度 (4KB, QD32) : 最高 1,000,000 IOPS
* 效能可能因系統硬體配置而異
隨機讀取速度 (4KB, QD1) : 最高 22,000 IOPS
隨機寫入速度 (4KB, QD1) : 最高 60,000 IOPS
* 效能可能因系統硬體配置而異
使用環境
250 GB : 平均功率消耗 : *平均: 5 W *最高: 7 W (突發模式)
500 GB : 平均功率消耗 : *平均: 5.9 W *最高: 7.4 W (突發模式)
1 TB : 平均功率消耗 : *平均: 6.2 W *最高: 8.9 W (突發模式)
2 TB : 平均功率消耗 : *平均: 6.1 W *最高: 7.2 W (突發模式)
* 實際功率消耗可能因系統硬體配置而異
功率消耗 (閒置模式) : 最大 35 mW * 實際功率消耗可能因系統硬體配置而異
允許電壓 : 3.3 V ± 5 %
可靠性 (MTBF) : 1.5 百萬小時 *MTBF: 平均故障間隔 (平均連續無故障時間)
作業溫度 : 0 - 70 ℃
抗震 : 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)
軟體
管理軟體 : 管理魔術師軟體
保固
250 GB : 五年或 150 TBW 有限保固
500 GB : 五年或 300 TBW 有限保固
1 TB : 五年或 600 TBW 有限保固
2 TB : 五年或 1200 TBW 有限保固