Gigabyte AORUS NVMe Gen4 SSD 1TB|GP-ASM2NE6100TTTD|香港行貨

Gigabyte AORUS NVMe Gen4 SSD 1TB|GP-ASM2NE6100TTTD|香港行貨

- 規格尺寸: M.2 2280
- 傳輸介面: PCI-Express 4.0 x4, NVMe 1.3
- 容量:1000GB
- 連續讀取速度:最高達5000 MB/s**
- 連續寫入速度:最高達4400 MB/s**
- 支援損耗平均技術及超額配置(over-provisioning) 預留空間技術
- 支援TRIM 指令及 S.M.A.R.T 自我檢測分析報告技術
- 全包覆式純銅散熱片設計
- 保固: 5年保固

*1GB = 10億bytes, 實際容量會依規格及使用狀況而有所差異。
**讀寫速度為實驗室測試數據,實際效能會依產品不同而有所差異。


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全球首款PCIe 4.0x4控制晶片
全球首款PCIe 4.0x4控制晶片,Phison PS5016-E16控制晶片,採用28nm製造技術製造。 先進的製造工藝確保PS5016-E16搭配最新的3D TLC NAND快閃記憶體時具有足夠的ECC容錯處理能力。PS5016-E16還具有8個NAND通道及32個CE targets,並可支援DDR4 DRAM快取和PCIe 4.0 x4介面。 而在其他功能部分,這顆全新控制器支援NVMe 1.3協議、LDPC糾錯、損耗平均技術及超額配置技術,以提高固態硬碟的可靠性和耐用性。

  • PCIe 4.0x4,NVMe 1.3介面
  • DDR4 DRAM快取
  • 8通道,32 組CE
  • Phison第四代LDPC和RAID ECC技術
  • 支援 Pyrite
  • 控制晶片配置散熱片

精選的高品質和高性能NAND 快閃記憶顆粒

TOSHIBA BiCS4 96層3D TLC(800MT/s)
TOSHIBA BiCS4 NAND快閃記憶體顆粒透過增加層數至96層,來進行電路和架構最佳化,進而達到每單位面積更高的儲存空間。 AORUS NVMe Gen4 SSD固態硬碟的800MT / s吞吐量遠遠超過PCIe 3.0 x4設備,具有出色的儲存效能。

極致儲存效能
憑藉新的PCIe 4.0介面控制晶片,AORUS NVMe Gen4 SSD固態硬碟可提供高達 5000 MB/秒的循序讀取速度和高達4400 MB/秒的循序寫入速度。PCIe 4.0 固態硬碟的順序讀取性能比PCIe 3.0 固態硬碟快40%。可提供更快、更順暢的遊戲串流和圖形密集渲染體驗,讓玩家為下一代的電腦運算做好準備。

專為超高速PCIe 4.0固態硬碟設計的全包覆式純銅散熱解決方案
全包覆式純銅散熱片同時為配置在固態硬碟正反面的控制晶片和NAND記憶顆粒等關鍵組件的進行散熱。與鋁製散熱器相比,純銅散熱片具有傳熱能力提高69%,讓AORUS NVMe Gen4 SSD固態硬碟獲得最佳的讀/寫散熱性能。

高效純銅散熱片設計

相較於一般小型M.2散熱片,AORUS NVMe Gen4 SSD固態硬碟採用的新型高效純銅散熱片,搭配正面的27道剖溝,大幅增加了散熱表面積,讓固態硬碟在高速運作下產生的廢熱可以有效傳輸到散熱片,進而更快地獲得更好的熱平衡。此外,最佳化的剖溝角度設計,讓散熱片可以與不同方向的系統風流方向進行大量且快速的熱交換。 這兩種獨特的設計確保了PCIe 4.0 固態硬碟的關鍵零件能夠在超高傳輸速率下保持最佳的工作溫度。

為什麼將固態硬碟保持在較低的溫度這麼重要?
  • 過高的工作溫度可能導致資料遺失或損壞。而高溫運作下的固態硬碟,資料遺失或寫入錯誤的情況,可能比低溫運作的固態硬碟高出一百倍。
  • 透過全包覆式全銅熱片,AORUS NVMe Gen4 SSD固態硬碟可在較低的工作溫度下運作,以提高資料儲存的可靠性。同時讓固態硬碟在長時間高效能運作,避免過熱而降速的情況。

SSD Tool Box
全新的SSD Toolbox應用程式,可以讓使用者監控和管理包括型號、韌體版本、運作狀況等技嘉固態硬碟的各項數據,讓玩家可以隨時掌握固態硬碟的使用狀態及相關安全係數或使用安全抹除功能清除所有資料。 您可以從支持頁面下載SSD Tool Box使用。


品質保證
高標準測試造就極致效能


架構


外觀尺寸

與一般散熱片相比,新型高效散熱器提高了散熱效率,讓高速運行時間延長了46%。此外,相較於不帶散熱片的固態硬碟,AORUS 7000s Gen4 SSD以7GB / s全速運作的時間延長了5倍,讓玩家可以享受更流暢、更快速的儲存效能。


產品規格
Interface : PCI-Express 4.0x4, NVMe 1.3
Form Factor : M.2 2280
Total Capacity : 1000GB
NAND : 3D TLC Toshiba BiCS4
External DDR Cache : DDR4 1GB
Sequential Read speed : Up to 5000 MB/s
Sequential Write speed : Up to 4400 MB/s
Random Read IOPS : up to 750k
Random Write IOPS : up to 700k
Dimension : 80.5 x 11.25 x 23.5 mm
Mean time between failure (MTBF) : 1.77 million hours
Power Consumption (Active) : Average: R : 6.6W; W : 6.4W
Power Consumption (Idle) : 18.8mw
Temperature (Operating) : 0°C to 70°C
Temperature (Storage) : -40°C to 85°C
Warranty : 
  1. Limited 5-years or 1800TBW.
  2. Limited warranty based on 5 years or 1800TBW, whichever comes first. (*TBW is evaluated by JEDEC workload standard. )
  3. When the usage of an NVME SSD as indicated by the "Percentage Used" (SMART ID: 05) in SMART page of "GIGABYTE SSD toolbox" reaches 100 means out of warranty. (A new unused product will show the number of 0)
*TBW (Terabyte Written): Terabytes Written is the total amount of data that can be written into a SSD before it is likely to fail.

Note :
  • Test system configuration: configuration may vary by models, we will choose the latest platform for verification.
  • Performance may vary based on SSD's firmware version and system hardware & configuration. Sequential performance measurements based on CrystalDiskMark and IOmeter 1.1.0.
  • Speeds based on internal testing. Actual performance may vary.
  • 1GB = 1 billion bytes. Actual useable capacity may vary.

* 產品規格會依各國家地區出貨而有所變動,應以各地實際出貨狀況為準。誠摯建議與當地經銷商或零售商確認最新產品販售規格。
* 以上產品之規格、圖片及其他資訊僅供參考,如與實際產品有任何不相符之處,應以實際產品為準。技嘉科技保留在任何時間做出修改之權利。對任何因使用上述資料而引致之損失,技嘉科技概不承擔任何責任。
* 本產品所標示之各項效能表現為各晶片廠商或各制定介面官方組織所提出的最大理論值,實際效能可能因規格及設備而有所不同。
* 本文中所使用之各項商標及企業識別圖示,均為其合法所有人之財產。
* 基於PC基本架構,有部分記憶體空間須留作系統用途,故所偵測到之記憶體大小會比實際上較少。
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